新国大苏研院举办基于半导体材料的射频器件建模、设计与生产制造研讨会

新加坡国立大学苏州研究院于2013年10月22日下午举办”基于Si/GaAs/GaN 等半导体材料的射频器件建模、设计与生产制造研讨会 (2013 Workshop on Si/GaAs/GaN RF Device Modeling, Design & Fabrication)。”

研讨会由新加坡国立大学苏州研究院(NUSRI)主办，美国电气和电子工程师协会(IEEE)南京AP/MTT/EMC联合技术委员会分会(Joint Chapter)协办。研讨会汇聚了业内权威的专家、企业家、学者、教授、企业高级技术和管理人才，其中包括林福江、薛洪喜、杨士宁、张乃千、周梅生等5位中组部“千人计划”专家。

先进微电子器件发展迅速，影响生活方方面面。第三代电子器件材料（GaN，SiC，Diamond）的应用极其广泛，除了通信，军用和雷达外，未来固态灯、LEP，汽车电子、能源管理乃至医学等都将开始新的一波“第三代电子器件技术”。第三代电子器件可能也是解决太赫兹、太比特未来网高速互连瓶颈问题的最有效技术。

研讨会由会议发起人兼大会主席郭永新博士致开幕词，随后演讲嘉宾们围绕半导体、微电子以及微波射频这三个领域进行了演讲。研讨会讨论方向涵盖了中国重大专项最新研究计划、器件建模、产学研结合、测试技术、关键难题等内容。嘉宾们对基于GaAs、GaN、Si等半导体材料射频器件的建模设计和生产制造技术分享了前瞻的见解及精彩的阐述。

此次研讨会秉持开放，高水准的原则，受到了行业内相关科研人员以及专家学者的积极响应，研讨会注册人数91人。参会嘉宾来自知名高校，企业和科研院所，如南京理工大学，东南大学，中国科学技术大学，上海交大，浙江大学，苏州大学，杭州电子科技大学，南京十四所，南京五十五所，上海航天802所等，其中具有博士研究生学历的占47%，硕士研究生学历的占41%。嘉宾之间进行了积极的交流，探讨和分享了彼此的观点与看法。

研讨会上，新国大苏研院聘请杨世宁、林福江、张乃千和周梅生四位千人专家作为我院先进微电子器件中心的客座首席研究员，希望能够携手共进，为行业的发展贡献力量。

（作者：赵烁砾）