研讨会通知：基于Si/GaAs/GaN 等半导体材料的射频器件建模、设计与生产制造研讨会

新加坡国立大学苏州研究院将于2013年10月22日13:00 – 18:00在106报告厅举办基于Si/GaAs/GaN 等半导体材料的射频器件建模、设计与生产制造研讨会 (2013 Workshop on Si/GaAs/GaN RF Device Modeling, Design & Fabrication)。

研讨会有幸邀请到林福江、薛红喜、杨士宁、张乃千、周梅生5位千人计划专家及学界知名学者进行演讲。 

研讨会由新国大苏研院下属的先进微电子器件中心（CAMD）发起，IEEE (美国电气和电子工程师协会) AP-MTT-EMC Joint Nanjing Chapter协办，旨在搭建该领域专家、学者们交流的平台。 

请有意参加研讨会的人员下载以下文件进行注册登记：《研讨会登记表》《会议手册》 

如有任何疑问请联系组委会，赵老师：15850104931；潘老师：15050870666。